设备简介：
Picosun是致力于ALD原子层沉积设备的世界知名设备提供商， 产品涵盖2”~ 12”主流ALD工艺，广泛应用于三五族(GaN / SiC )功率及射频器件、VCSELs器件等化合物产业，以及MEMS和Si基半导体产业。
Picosun是致力于ALD原子层沉积设备的世界知名设备提供商， 产品涵盖2”~ 12”主流ALD工艺，广泛应用于三五族(GaN / SiC )功率及射频器件、VCSELs器件等化合物产业，以及MEMS和Si基半导体产业。
◆配置：2”~12” 手动设备/ 全自动设备(片盒对片盒) / 全自动多腔设备(片盒对片盒搭配星型平台)
◆领域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射频器件、VCSELs器件等化合物产业，以及MEMS和Si基半导体产业，及Mini LED / Micro LED产业等
◆ALD原子层沉积的主要材料：
氧化物：Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2,
氮化物：AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, …
金属：Ir, Pd, Pt, Ru, …
亲水层或者疏水层：FDTS…
◆ Picosun公司有多年研发ALD设备的技术经验，团队的主要技术人员由ALD技术的发明人Dr. Tuomo Suntola来带领。
◆Picosun ALD设备具有高稳定性与高可靠度
◆Picosun ALD设备具有成熟的软硬件设计及完善QC系统
◆Picosun ALD设备配置灵活，包含手动、半自动、全自动多腔片盒对片盒)型号满足实验室研发及量产客户需求
◆Picosun ALD设备在化合物半导体行业，MEMS行业，Micro LED / Micro OLED行业均有较高的占有率。
◆Picosun ALD设备主要技术优势：
高深宽比的图形电镀能力，有成功案例用于深宽比>1000:1的图形ALD工艺；
ALD工艺的镀膜均匀性一致性较佳；
ALD工艺的step coverage较佳；
设备的高稳定性， uptime > 90%。
◆ 三五族化合物半导体(SiC，GaN功率及射频器件)
◆ MEMS微机电
◆ Si基的CMOS器件
◆ Micro LED
◆ Micro OLED
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