产品描述：
Corial Shuttleline®200系列是一个灵活且可扩展的平台，适用于蚀刻和沉积工艺，大可处理8英寸晶圆，广泛应用于故障分析、微机电 （MEMS）、光电子、较先进封装、无线设备和功率半导体等领域。
Corial Shuttleline®200系列是一个灵活且可扩展的平台，适用于蚀刻和沉积工艺，大可处理8英寸晶圆，广泛应用于故障分析、微机电 （MEMS）、光电子、较先进封装、无线设备和功率半导体等领域。
1.典型刻蚀材料：硅，氧化物，聚合物，III-V族化合物，II-VI族化合物，金属，硬质材料等
2.应用领域 ：故障分析、微机电 （MEMS）、光电子、较先进封装、无线设备和功率半导体等
3.制程：RIE/ICP
1. 灵活可拓展的刻蚀工艺平台，占地面积小
2. 独立的RF和ICP发生器同时提供高刻蚀速率和低损伤控制
3. 侧壁粗糙度佳，底角干净，图形角度控制较好
4. 较佳的刻蚀均匀性控制
5. 超长的平均开腔清洁时间间隔
1.典型沉积材料：硅基化合物，如SiO2, Si3N4, SiOCH, SiOF, Si-H等。硬质材料如SiC等。
2.应用领域 : 微机电 （MEMS）、光电子、集成光学元件、无线设备和功率半导体等
3.制程：PECVD/ICPCVD
1.独特的反应腔设计提供出色的沉积速率和均匀性，如SiO2典型沉积速率可达520 nm/min。
2. 独特的应力控制方法（低损伤应力控制）
3. 超长的平均开腔清洁时间间隔
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